LED分選方法介紹
編輯:JACK [ 2009-9-23 9:09:58 ] 文章來源:LED大屏網(wǎng)
前言:
LED的分選方法芯片測(cè)試的分選,LED的測(cè)試分選。
LED的分選有兩種方法:一是以芯片為基礎(chǔ)的測(cè)試分選,二是對(duì)封裝好的LED進(jìn)行測(cè)試分選。
(1)芯片的測(cè)試分選
LED芯片分選難度很大,主要原因是LED芯片尺寸一般都很小,從9mil到14mil(0.22-0.35nm)。這樣小的芯片需要微探針才能夠完成測(cè)試,分選過程需要精確的機(jī)械和圖像識(shí)別系統(tǒng),這使得設(shè)備的造價(jià)變得很高,而且測(cè)試速度受到限制,F(xiàn)在的LED芯片測(cè)試分選機(jī)價(jià)格約在100萬元人民幣\臺(tái),其測(cè)試速度在每小時(shí)10000只左右。如果按照每月25天計(jì)算,每一臺(tái)分選機(jī)的產(chǎn)能為每月5KK。
目前,芯片的測(cè)試分選有兩種方法:一種方法是測(cè)試分選由同一臺(tái)機(jī)器完成,它的優(yōu)點(diǎn)是可***,但速度很慢,產(chǎn)能低;另一種方法是測(cè)試和分選由兩臺(tái)機(jī)器完成,測(cè)試設(shè)備記錄下每個(gè)芯片的位置和參數(shù),然后把這些數(shù)據(jù)傳遞到分選設(shè)備上,進(jìn)行快速分選、這樣做的優(yōu)點(diǎn)是快速,但缺點(diǎn)是可***性比較低,容易出錯(cuò),因?yàn)樵跍y(cè)試與分選兩個(gè)步驟之間通常還有襯底減薄和芯片分離的工藝過程,而在這個(gè)過程中,外延片有可能碎裂、局部殘缺碎裂或局部殘缺,使得實(shí)際的芯片分布與儲(chǔ)存在分選機(jī)里的數(shù)據(jù)不符,造成分選困難。
從根本上解決芯片測(cè)試分選瓶頸問題的關(guān)鍵是改善外延片均勻性。如果一片外延片波長(zhǎng)分布在2nm之內(nèi),亮度的變化在+15%之內(nèi),則可以將這個(gè)片子上的所有芯片歸為一檔(Bin),只要通過測(cè)試把不合格的芯片去除即可,將大大增加芯片的產(chǎn)能和降低芯片的成本。在均勻性不是很好的情況下,也可以用測(cè)試并把“不合格產(chǎn)品較多”的芯片區(qū)域用噴墨涂抹的方式處理掉,從而快速地得到想要的“合格”芯片,但這樣做的成本太高,會(huì)把很多符合其他客房要求的芯片都做為不合格證的廢品處理,最后核算出的芯片成本可能是市場(chǎng)無法接受的水平。
(2)LED的測(cè)試分選
封裝后的LED可以按照波長(zhǎng)、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光角度以及工作電壓等進(jìn)行測(cè)試分選。其結(jié)果是把LED分成很多檔(Bin)和類別,然后測(cè)試分選機(jī)會(huì)自動(dòng)地根據(jù)設(shè)定的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)把LED分裝在不同的Bin盒內(nèi)。由于人們對(duì)于LED的要求越來越高,早期的分選機(jī)是32Bin,后來增加到64Bin,現(xiàn)在已有72Bin的商用分選機(jī)。即使這樣,分Bin的LED技術(shù)指標(biāo)仍然無法滿足生產(chǎn)和市場(chǎng)的需求。
LED測(cè)試分選機(jī)是在一個(gè)特定的工作臺(tái)電流下(如20mA),對(duì)LED進(jìn)行測(cè)試,一般還會(huì)做一個(gè)反向電壓值的測(cè)試,F(xiàn)在的LED測(cè)試分選機(jī)價(jià)格約在40~50萬人民幣/臺(tái),其測(cè)試速度在每小時(shí)18000只左右。如果按照每月25天,每天20小時(shí)的工作時(shí)間計(jì)算,每一臺(tái)分選機(jī)的產(chǎn)能為每月9KK。
大型顯示屏或其他高檔應(yīng)用客戶,對(duì)LED的質(zhì)量要求較高。特別是在波長(zhǎng)與亮度一致性的要求上很嚴(yán)格。假如LED封裝廠在芯片采購(gòu)時(shí)沒有提出嚴(yán)格的要求,則這些封裝廠在大量的封裝后會(huì)發(fā)現(xiàn),封裝好的LED中只有很少數(shù)量的產(chǎn)品能滿足某一客戶的要求,其余大部分將變成倉(cāng)庫(kù)里的存貨。這種情形迫使LED封裝廠在采購(gòu)LED芯片時(shí)提出嚴(yán)格的要求,特別是波長(zhǎng)、亮度和工作臺(tái)電壓的指標(biāo);比如,過去對(duì)波長(zhǎng)要求
是+2nm,而現(xiàn)在則要求為+1 nm,甚至在某些應(yīng)用上,已提出+0.5 nm的要求。這樣對(duì)于芯片廠就產(chǎn)生了巨大的壓力,在芯片銷售前必須進(jìn)行嚴(yán)格的分選。
從以上關(guān)于LED與LED芯片分選取的分析中可以看出,比較經(jīng)濟(jì)的做法是對(duì)LED進(jìn)行測(cè)試分選。但是由于LED的種類繁多,有不同的形式,不現(xiàn)的形狀,不同的尺寸,不同的發(fā)光角度,不同的客戶要求,不同的應(yīng)用要求,這使用權(quán)得完全通過LED測(cè)試分選取進(jìn)行產(chǎn)品的分選變得很難操作。而且目前LED的應(yīng)用主要分布在幾個(gè)波長(zhǎng)段和亮度段的范圍,一個(gè)封裝廠很難準(zhǔn)備全部客戶需要的各種形式和種類的LED。所以問題的
關(guān)鍵又回到MOCVD的外延工藝過程,如何生長(zhǎng)出所需波長(zhǎng)及亮度的LED外延片是降低成本的關(guān)鍵點(diǎn),這個(gè)問題不解決,LED的產(chǎn)能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前,比較行之有效的方法是解決快速低成本的芯片分選問題。
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