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　　日前，由留美博士創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立的晶瑞光電正式推出兩款高光效大功率LED共晶陶瓷封裝產(chǎn)品X3和X4。這兩款產(chǎn)品分別采用了硅襯底垂直結(jié)構(gòu)大功率LED芯片和FLIP CHIP芯片，在驅(qū)動(dòng)電流350mA的情況下，平均光效可分別達(dá)到148lm/W和150lm/W；在驅(qū)動(dòng)電流700mA的情況下，平均光效可達(dá)到115lm/W。

　　垂直結(jié)構(gòu)的硅襯底大功率LED芯片具有適合大電流驅(qū)動(dòng)，散熱好、發(fā)光形貌好、可靠性高、打線少等優(yōu)點(diǎn)，F(xiàn)LIP CHIP芯片則具有發(fā)光面積大，亮度更高、散熱更好、無金線工藝、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。晶瑞光電董事長陳振博士表示，選擇垂直結(jié)構(gòu)的硅襯底大功率LED芯片基于兩點(diǎn)考慮：一是硅襯底LED芯片具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是名副其實(shí)的“中國芯”，二是硅襯底大功率LED芯片非常適合陶瓷封裝，而且適合高端照明。同樣，F(xiàn)LIP CHIP芯片也很適合陶瓷封裝，目前市場FLIP CHIP的高端共晶陶瓷封裝并不多見，而晶瑞恰好利用自身的技術(shù)優(yōu)勢，搶占技術(shù)和市場。

　　共晶陶瓷封裝目前在行業(yè)內(nèi)是高端封裝，其技術(shù)要求高、技術(shù)難點(diǎn)多。晶瑞光電總經(jīng)理周智明表示，晶瑞光電用國際領(lǐng)先的低熱阻共晶陶瓷封裝技術(shù)和先進(jìn)的透鏡技術(shù)，解決了共晶精度、熒光粉涂敷和光學(xué)設(shè)計(jì)等技術(shù)難點(diǎn)，成功實(shí)現(xiàn)了硅襯底大功率LED芯片的高光效封裝，將硅襯底大功率LED芯片的優(yōu)勢最大化釋放出來，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了FLIP CHIP的共晶陶瓷高光效封裝。

　　與一般陶瓷封裝產(chǎn)品相比，晶瑞光電發(fā)布的兩款共晶陶瓷封裝大功率產(chǎn)品具有“一大、三低、四高”的特點(diǎn)，即耐大電流、低光衰、低熱阻、低電壓、高光效、高可靠性、高散熱性、高性價(jià)比，可應(yīng)用于LED路燈、隧道燈、車大燈以及移動(dòng)Flash等高端照明。已愈十年，是我國最早研究大功率LED封裝和應(yīng)用的先行者之一。