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在上海最新的一場發(fā)布會上，OSRAM揭露了一項最新的白光LED技術(shù)。與生長n型和P型外延層然后在通過蝕刻的方式實現(xiàn)電路的傳統(tǒng)的芯片生長方式不同的是，新的3D芯片是在襯底上首先生長n型的GaN摻雜層，然后覆蓋掩膜，在特定的區(qū)域生產(chǎn)N型的微米棒，使得外延具有納米層級的3D結(jié)構(gòu)，最后再生長一層包敷在外面的P型GaN殼。

這樣的結(jié)構(gòu)可以大大增加發(fā)光層的面積，提高光效率，并降低成本。