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商用導(dǎo)電珠是一種核殼結(jié)構(gòu)，核是高分子聚合物，殼是金鎳合金。導(dǎo)電珠直徑根據(jù)上下基板間的距離可選擇10-13um，誤差在0.5um以下。導(dǎo)電珠與UV膠混合后進(jìn)行固化工藝，使z方向上下層間導(dǎo)通。

利用顯微鏡觀察金屬pad上的導(dǎo)電珠情況，在明場條件下由于入射光被金屬pad阻隔，顯微鏡中看不到pad下方的導(dǎo)電珠情況。在暗場模式下，金屬粒子和pad邊緣有很強(qiáng)的對(duì)比度，如下圖所示。但這種模式看不到pad下方的金屬粒子。

在DIC（Differential Interference Constrast）技術(shù)條件下，可以看到在pad上面有因?yàn)閷?dǎo)電粒子的反作用力導(dǎo)致的凸起，可以得到pad下方的粒子信息，如下圖所示。通過x-ray顯微鏡來確認(rèn)相同位置pad下方的粒子確實(shí)存在。DIC模式是粒子狀態(tài)快速準(zhǔn)確確認(rèn)的一種可靠手段。

pad和導(dǎo)電粒子間的擴(kuò)展電阻Rsr由下式估算

pad和metal代表電阻率，a代表接觸部分的一半，SEM電鏡確認(rèn)接觸面大約2um。值得注意的是，pad間就算只有一顆導(dǎo)電粒子，也足以保證pad間的連接是正常導(dǎo)通的。如下圖紅色標(biāo)記所示。

由于后續(xù)會(huì)將玻璃基板給LLO掉，襯底只保留了CPI或者YPI層，混有導(dǎo)電粒子的膠可能會(huì)對(duì)金屬線造成損壞，例如屏體AA區(qū)周圍的Data line和Scan line。當(dāng)前道工序有SiOx碎片殘留，混入有機(jī)膠內(nèi)時(shí)，屏體經(jīng)過60℃/RH90% 100h驗(yàn)證時(shí)，金屬走線所在的無基層會(huì)出現(xiàn)輻射形裂紋，金屬線阻抗增加，信號(hào)傳輸會(huì)相對(duì)其他線路變慢。如下圖所示。

另外，還會(huì)有兩顆粒子疊加被過度擠壓，導(dǎo)致上方數(shù)據(jù)走線出現(xiàn)同樣的裂紋，造成信號(hào)延遲的現(xiàn)象，如下圖所示。

在array段，光刻機(jī)殘留、無機(jī)材料殘留都有可能落在pad上，造成pad接觸不良。此外，Plasmas清洗工藝經(jīng)常用來清潔金屬或者ITO表面，離子氣體一般包括Ar、CF4、O2等，但是由于pad間的粘附力波動(dòng)，會(huì)出現(xiàn)peeling問題，如下圖所示。有機(jī)膠中的空氣氣泡或者真空氣泡也會(huì)造成走線的斷裂，導(dǎo)致通信中斷。

下面欣賞一下成品：

5.6寸，內(nèi)外彎折半徑4mm，彎折次數(shù)20萬次

卷曲雙面顯示技術(shù)