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洞悉Micro LED發(fā)展趨勢,利亞德全面攻克關(guān)鍵技術(shù)難題
編輯:夢梵 [ 2022-6-10 9:23:44 ] 文章來源:視聽號|74686
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本文內(nèi)容轉(zhuǎn)自集邦咨詢旗下光電研究處LEDinside

Micro LED被譽為顯示技術(shù)的終極目標,近年來發(fā)展迅速,在海內(nèi)外大廠的積極推動和新興應(yīng)用市場需求增長的驅(qū)動下,Micro LED技術(shù)備受關(guān)注,開始逐漸應(yīng)用在大型顯示器與智能穿戴設(shè)備中。

盡管已有終端應(yīng)用產(chǎn)品出現(xiàn),但Micro LED的發(fā)展仍在初期階段,其應(yīng)用落地面臨著一系列技術(shù)問題,因此大規(guī)模商用化仍需時日。而利亞德作為Micro LED領(lǐng)域的先行者之一,已率先實現(xiàn)Micro LED的研發(fā)、量產(chǎn)、規(guī);逃寐涞。

日前,利亞德集團副總裁、智能顯示研究院院長盧長軍出席2022集邦咨詢新型顯示產(chǎn)業(yè)研討會,圍繞Micro LED顯示的發(fā)展趨勢做出了深度解析。

4大核心技術(shù)發(fā)展趨勢

Micro LED應(yīng)用前景廣闊,從商業(yè)應(yīng)用到消費電子,都是Micro LED可大展身手的領(lǐng)域。但目前Micro LED處于發(fā)展初期,在巨量轉(zhuǎn)移、芯片效率、全彩技術(shù)等一系列問題上,業(yè)界尚未有成熟的解決方案,規(guī);慨a(chǎn)與應(yīng)用仍需時間。因此,當務(wù)之急是進一步突破Micro LED核心技術(shù)問題。

Micro LED包含了4大核心技術(shù),分別是Micro LED芯片技術(shù)、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、檢測及返修、光學和表面處理。

Micro LED芯片技術(shù):Micro LED最終將走向無襯底方向,且芯片尺寸將進一步微縮,因此保證LED外延片質(zhì)量尤為重要,外延層的均勻性、缺陷和粒子數(shù)將影響晶圓上Micro LED的可用性。另外,芯片微縮化后的低效率和邊緣漏電問題、襯底剝離、芯片制程良率都是目前Micro LED芯片制造上面臨的問題,直接影響最終成品的可靠性。

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù):由于Micro LED的薄膜化特質(zhì),傳統(tǒng)的pick&place轉(zhuǎn)移方式已無法適用,因此提出Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。目前市面上出現(xiàn)了不同的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)方案,利亞德則從4方面考量與選擇適合的應(yīng)用方案,分別是轉(zhuǎn)移效率、精度、方案成熟度和對大尺寸顯示應(yīng)用的適用性。

利亞德認為,激光巨量轉(zhuǎn)移是現(xiàn)階段最優(yōu)解方案,其具有較好的兼容性,可同時應(yīng)用于轉(zhuǎn)移帶與不帶襯底的LED,且在帶襯底LED芯片的轉(zhuǎn)移中能夠避免LED的偏移和側(cè)翻問題。

檢測及返修: 檢測技術(shù)上,由于Micro LED芯片和電極過于微小,業(yè)界研發(fā)了非接觸式檢測技術(shù),可通過PL檢測測試LED光學性能,但電學性能暫時無法測試,因此業(yè)界也有觀點認為,若能保證LED外延的均勻性和波長的一致性且無顆粒,則無需點測及分bin。

另外,業(yè)界還提出了MIP方案,即Micro LED芯片良率有一定保證的前提下,先對芯片進行封裝再進行測試應(yīng)用。MIP方案除無需先進行點測之外,對于基板的選擇更加靈活,對巨量轉(zhuǎn)移的良率要求也相對較低。

光學和表面處理:針對提高對比度/黑度,降低反射率,目前解決方案有:縮小LED芯片尺寸、底部填充基板線路進行遮蔽、增加基板墨色、表面覆蓋抗反射膜等。針對墨色一致性問題,也可啟用墨色篩選,雖可一定程度上解決問題,但卻會對終端產(chǎn)品售價造成負面影響。

而針對亮屏顏色的一致性問題,主要通過LED分bin和混bin管理進行控制,并通過后端校正來解決;針對像素尺寸與像素間距的適配問題,則是通過增加像素填充率來解決。

利亞德的Micro LED發(fā)展之道

面對Micro LED關(guān)鍵技術(shù)難題,LED業(yè)界給出了多種技術(shù)路徑,嘗試從中找到最佳的解決方案。利亞德憑借自身在LED顯示行業(yè)的豐富經(jīng)驗,也探索出屬于自己的Micro LED發(fā)展之道。

在巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上,利亞德基于對大尺寸的Micro LED顯示技術(shù)的理解,發(fā)展了兩種巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),分別是mass transfer1和mass transfer2,mass transfer1主要應(yīng)對帶襯底LED和PCB基板的巨量轉(zhuǎn)移,mass trasnfer2則是針對無襯底、玻璃基板或其他高精度基板的巨量轉(zhuǎn)移應(yīng)用。

在表面處理和光學方面,利亞德發(fā)展了A、B、C MODE三種表面處理技術(shù),A MODE屬于高性價比方案;B MODE是雙層封裝結(jié)構(gòu),墨色一致性、均勻度、對比度具有較好的表現(xiàn);C MODE均勻度表現(xiàn)最佳,適合COB和COG封裝產(chǎn)品的應(yīng)用。

不僅如此,利亞德還通過與IC廠家的合作開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的驅(qū)動芯片,集成度更高,可控像素更多,可有效降低顯示產(chǎn)品最大亮度功耗、平均功耗和黑屏功耗。另外,利亞德還開發(fā)了led顯示屏專用的ASIC控制芯片,提高了Micro LED顯示產(chǎn)品的標準化程度,并進一步降低了產(chǎn)品的功耗和溫升。

在過去的2021年,利亞德Micro LED業(yè)務(wù)進展順利。訂單方面,利亞德新簽Micro LED訂單達到了3.2億元;產(chǎn)品方面,發(fā)布了覆蓋40英寸到81英寸的標準2K Micro LED顯示產(chǎn)品,并基于此開發(fā)了涵蓋108英寸到216英寸的大尺寸Micro LED消費級電視。另外,利亞德還與TCL華星合作開發(fā)并制作了全球首款75英寸P0.6氧化物AM直顯Micro LED TV樣品;

產(chǎn)能方面,2021年,利亞德Micro LED產(chǎn)能實現(xiàn)800KK/月,且計劃在今年底實現(xiàn)1600kk/月的產(chǎn)能。此外,利亞德已開始著手Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈儲備布局,持續(xù)推進Micro LED技術(shù)和成本突破。

展望未來,利亞德集團副總裁盧長軍表示,未來大尺寸Micro LED將不再追求間距的縮小,極致的畫質(zhì)、高可靠性和穩(wěn)定性將成為Micro LED發(fā)展的最大追求,這也是利亞德Micro LED的發(fā)展方向。

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